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型号： |
2SJ182 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
J182 |
| 厂家： |
HITACHI |
| 封装： |
TO-252/DPAK |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
5300 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
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2SJ182 J182 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.28Ω @-2A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0-2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
SILICON P-CHANNEL MOS FET Low on-resistance High speed switching Low drive current 4V gate drive device-can be driven from 5V source suitable for motor drive,DC-DCconverter,power switch and solenoid drive |
| 描述与应用 |
硅P沟道MOS场效应管 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4V栅极驱动器可以驱动从5V电源 适用于电机驱动器，直流 - 直流转换，电源开关和螺线管驱动 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ182 |
J182 |
HITACHI |
05+ |
TO-252/DPAK |
5300 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ185 |
H12 |
NEC |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
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| 2SJ185 |
H12 |
NEC |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2990 |
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| 2SJ186CYTL |
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SOT-89/SC-62/UPAK |
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| 2SJ186CYTL |
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J188 |
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J189 |
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05+ |
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700 |
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| 2SJ189 |
J189 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
3980 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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