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2SJ163-Q
 型号:  2SJ163-Q
 标记/丝印/代码/打字:  4MQ
 厂家:  Panasonic
 封装:  SOT-23/SC59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  结型(JFET)-P沟道JFET P-Channel
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2SJ163-Q 4MQ 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 65 V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage 65 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current -1.0~-3.0mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage 1.5~3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications 2SJ163 Silicon P-Channel Junction FET For general switching Complementary to 2SK1103 Features Low ON-resistance Low-noise characteristics
描述与应用 2SJ163 硅P沟道结型场效应管 对于一般的切换 互补2SK1103 特点 低导通电阻 低噪声特性
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