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2SJ146 4D 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-100mA/-0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
150Ω @-10mA,-5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.5--3.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Silicon P-Channel MOS FET For switching Features High-speed switching Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing |
| 描述与应用 |
硅P沟道MOS FET 用于开关 特性 高速开关 迷你型包装，使设备小型化和自动 通过插入磁带/盒包装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ144-GR |
VG |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ144-Y |
vy |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ145 |
JE |
MITSUBISHI |
05+ |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ145 |
JC |
MITSUBISHI |
05+ |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ146 |
4D |
Panasonic |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ144-GR |
VG |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ144-Y |
VY |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel |
查看 |
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