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2SJ146
 型号:  2SJ146
 标记/丝印/代码/打字:  4D
 厂家:  Panasonic
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  100
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ146 4D 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 150Ω @-10mA,-5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.5--3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon P-Channel MOS FET For switching Features High-speed switching Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用 硅P沟道MOS FET 用于开关 特性 高速开关 迷你型包装,使设备小型化和自动 通过插入磁带/盒包装
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