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2SJ132-Z-T2
 型号:  2SJ132-Z-T2
 标记/丝印/代码/打字:  J132
 厂家:  NEC
 封装:  TO-252/DPAK
 批号:  05+
 库存数量:  500
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ132-Z-T2 J132 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.25Ω -1A,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.0--3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR P-CHANNEL POWER MOSFET FOR SWITCHING Gate drive available at logic level (VGS = ?4 V) High current control available in small dimension due to low RDS(on) (? 0.25 Ω) 2SJ132-Z is a lead process product and is ideal for mounting a hybrid IC
描述与应用 MOS场效应功率晶体管 P沟道功率MOSFET 用于开关 栅极驱动逻辑电平(VGS=-4 V) 高电流控制由于在小尺寸,低RDS(on)(?0.25Ω) 2SJ132-Z是一款铅工艺产品,非常适合安装一个混合IC
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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