2SJ0536 2C 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
±20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
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| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Silicon P-Channel MOS FET Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. Low-voltage drive (Vth： ?1 to 2V) Low Ron |
| 描述与应用 |
硅P沟道MOS FET 特点 高速开关 S-迷你型包装，使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装。 低电压驱动（VTH：-1至2V） |
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