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2SD875
 型号：  2SD875
 标记/丝印/代码/打字：  XR
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  200
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD875 XR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 80V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 80V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 120MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 130~330
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV/0.2V
耗散功率Pc Power Dissipation 1W
Description & Applications Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Complementary to 2SB767 Features Large collector power dissipation PC. High collector to emitter voltage VCEO. Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing.
描述与应用 NPN硅外延平面型 对于低频功率放大互补2SB767 特点 大集电极功耗PC。 高集电极发射极电压VCEO。 迷你功率型封装 通过自动插入带包装盒包装。
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