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2SD596
 型号:  2SD596
 标记/丝印/代码/打字:  DV1
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  1300
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD596 DV1 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 25V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 700mA/0.7A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 170MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 110~180
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 220mV/0.22V
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications micro package; high DC current gain,hFE:200
描述与应用 微封装; 高直流增益,HFE:200
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
2SD596 DV5 NEC 05+ SOT-23/SC-59 33000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
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