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2SD2655WM-TL-E
 型号:  2SD2655WM-TL-E
 标记/丝印/代码/打字:  WM
 厂家:  RENESAS
 封装:  SOT-23/SC-59/MPAK
 批号:  05NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD2655WM-TL-E WM 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 280MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~500
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 160mV/0.16V
耗散功率Pc Power Dissipation 800mW/0.8W
Description & Applications Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features ? Small size package: MPAK (SC–59A) ? Large Maximum current: IC = 1 A ? Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) ? High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) ? Complementary pair with 2SB1691
描述与应用 NPN硅外延刨床 低频功率放大器 特点 ?小型封装:MPAK(SC-59A) ?大最大电流:IC=1 ?低集电极到发射极饱和电压VCE(星期六)=0.3 V最大(IC / IB=0.5 A/0.05?)。 ?高功耗PC =800毫瓦(当使用氧化铝陶瓷板(25×60×0.7毫米)) ?互补配对2SB1691
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