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2SD2199R-TSD-DR
 型号：  2SD2199R-TSD-DR
 标记/丝印/代码/打字：  D2199
 厂家：  SANYO
 封装：  SMP-FD
 批号：  05+
 库存数量：  20
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD2199R-TSD-DR D2199 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 7A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 10MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~200
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 400mV/0.4V
耗散功率Pc Power Dissipation 1.65W
Description & Applications *PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor *50V/7A switching applications *NPN Epitaxial planar silicon transistors *surface mount type device making the following possible *low collector to emitter saturation voltage *highly resistant to breakdown because of wide ASO
描述与应用 *PNP/ NPN平面外延硅晶体管 *50V/7A开关应用 *以下可能的NPN外延平面硅晶体管 *表面贴装型器件 *集电极到发射极饱和电压低 *具有很高的耐击穿，因为宽ASO
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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2SD2150 T100S CFS ROHM 05+ SOT-89/SC-62/MPT3 4000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
2SD2150 T100S CFS ROHM 05+NOPB600 SOT-89/SC-62/MPT3 5200 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
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