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2SD1949 T106R
 型号：  2SD1949 T106R
 标记/丝印/代码/打字：  YR
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-323/SC-70/UMT3
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD1949 T106R YR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~560
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 400mV/0.4V
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Medium Power Transistor (50V, 0.5A) featrues high current low saturation voltage
描述与应用 中等功率晶体管（50V，0.5A） 特点： 高电流 低饱和电压
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