2SD1758FTLR D1758 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Medium Power Transistor (32V, 2A) Features *Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V(Typ.) （IC / IB = 2A / 0.2A） Structure *Epitaxial planar type *NPN silicon transistor |
| 描述与应用 |
中等功率晶体管（32V，2A） 特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 *外延平面型 * NPN硅的晶体管 |
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