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2SD1306NE
 型号:  2SD1306NE
 标记/丝印/代码/打字:  NE
 厂家:  HITACHI
 封装:  SOT-23/SC-59/MPAK
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD1306NE NE 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 15V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 700mA/0.7A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 400~800
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV/0.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier
描述与应用 NPN硅外延 应用 低频功率放大器
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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