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2SC5906
 型号：  2SC5906
 标记/丝印/代码/打字：  WP
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+NOPB1200
 库存数量：  1900
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC5906 WP 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 4A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~500
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV/0.2V
耗散功率Pc Power Dissipation 800mW/0.8W
Description & Applications Transistor Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications ? High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.5 A) ? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.2 V (max) ? High-speed switching: tf = 25 ns (typ.)
描述与应用 晶体管的硅NPN外延型 高速开关应用 DC-DC转换器应用 频闪应用 ?高直流电流增益：HFE=200?500（IC= 0.5 A） ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）=0.2 V（最大值） ?高速开关：TF =25 ns
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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