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2SC5773JR-TL-E
 型号：  2SC5773JR-TL-E
 标记/丝印/代码/打字：  JR
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-23/SC-59/MPAK
 批号：  06NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC5773JR-TL-E JR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 6V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 80mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 10.8Ghz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80~160
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 700mW/0.7W
Description & Applications Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier Features ? High gain bandwidth product fT = 10.8 GHz typ. ? High power gain and low noise figure ; PG = 11.9 dB typ., NF = 1.1 dB typ. at f = 900 MHz
描述与应用 NPN硅外延 UHF/ VHF宽频带放大器 特点 ?高增益带宽积 FT =10.8 GHz的典型。 ?高功率增益和低噪声系数; PG=11.9 dB，NF= 1.1 dB。在f =900 MHz的
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