2SC5706 C5706 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~560 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
90mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High Current Switching Applications Applications ? DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. Features ? Adoption of FBET, MBIT process. ? Large current capacitance. ? Low collector-to-emitter saturation voltage. ? High-speed switching. ? High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 |
NPN平面外延硅晶体管 高电流开关应用 应用 ?DC-DC转换器，继电器驱动器，灯驱动器， 电机驱动器，闪光灯。 特点 ?通过FBET，MBIT过程。 ?大电流容量。 ?低集电极 - 发射极饱和电压。 ?高速开关。 ?高允许功耗。 |
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