2SC5658 T2LR BR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<400mV/0.4V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
General purpose transistor Features 1) Low Cob. Cob=2.0pF (Typ.) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 |
通用晶体管 特点 1）低COB。 COB=2.0PF 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |
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