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2SC5508
 型号：  2SC5508
 标记/丝印/代码/打字：  T79
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-343
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC5508 T79 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 3.3V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 35mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 25GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50~100
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 115mW/0.115W
Description & Applications NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD FEATURES ? Ideal for low-noise, high-gain amplification applications ? NF = 1.1 dB, Ga = 16 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA ? Maximum available power gain: MAG = 19 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 20 mA ? fT = 25 GHz technology ? Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (t = 0.59 mm)
描述与应用 NPN硅RF晶体管 低噪声，高增益放大 扁平引线4-pin薄型超小型模具 特点 ?非常低噪声，高增益放大应用 ?NF= 1.1分贝，GA =16 dB。 @ F =2 GHz时，VCE= 2 V，IC= 5毫安 ?最大可用功率增益：：MAG =19 dB。 @ F =2 GHz时，VCE= 2 V，IC=20毫安 ?英尺= 25 GHz技术 ?扁平引线4-pin薄型超小型模具（T =0.59毫米）
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