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2SC5383
 型号：  2SC5383
 标记/丝印/代码/打字：  LE
 厂家：  MITSUBISHI
 封装：  SOT-523/SC75A
 批号：  06+6KN0PB
 库存数量：  9000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC5383 LE 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 200mA/0.2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 150~300
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(Ultra super mini type) FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=0.3V max（@Ic=100mA,IB=10mA） Excellent linearity of DC forward gain. Ultra super mini package for easy mounting APPLICATION Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application.
描述与应用 低频率AMPLIFY应用 硅NPN外延型（超超超迷你型） 特点 体积小集电极到发射极饱和电压。 ????????????????????VCE（sat）的=0.3V最大（在@ Ic=100MA，IB=10毫安） 的DC的前锋的出色的线性度有所收获。 超超超迷你封装用于轻松安装， 应用 ?混合集成电路，小型机低频电压放大应用程序。
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