2SC5310 NN6 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
3W |
| Description & Applications |
NPN EPITAXIAL SILICON planar TRANSISTOR DC/DC Converter Applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · Large current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. |
| 描述与应用 |
NPN外延硅平面晶体管 DC/ DC转换器应用 特点 ?·采用FBET，MBIT过程。 ?·大电流容量。 ?·低集电极 - 发射极饱和电压。 ?·高速开关。 ?·超小包装便于在终端的小型化 产品。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
