2SC5010 83 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
9V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
12Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
75~150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
125mW/0.125W |
| Description & Applications |
Features ? SILICON TRANSISTOR ? NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD ? Low Voltage Use. ? High fT : 12.0 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz) ? Low Cre : 0.4 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz) ? Low NF : 1.5 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz) ? High |S21e|2: 8.5 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz) ? Ultra Super Mini Mold Package. |
| 描述与应用 |
特点 ?硅晶体管 ?NPN硅外延型晶体管3针超超迷你模具?低电压使用。 ?高FT：12.0 GHz的TYP。 （@ VCE= 3 V，IC=10 mA时，F= 2千兆赫） ?低CRE：0.4 PF TYP。 （@ VCE=3 V，IE= 0时，F =1兆赫） ?低噪声系数：1.5 dB典型值。 （IC= 3毫安，@ VCE= 3 V，F =2吉赫） ?高| S21E|2：TYP8.5分贝。 （@ VCE= 3 V，IC=10 mA时，F= 2千兆赫） ?超超级迷你模具包装。 |
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