2SC4869 GN4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
16V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
8V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features ?NPN Epitaxial planar silicon transistor ?Low noise : NF=1.2dB typ (f=1GHz). ?High gain : ?S21e?2=15dB typ (f=1GHz). ?High cutoff frequency : fT=9.0GHz typ. |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN外延平面硅晶体管 ?低噪音：NF=1.2分贝典型值（F =1GHz的）。 ?高增益：?S21E?2=15分贝典型值（F =1GHz的）。 ?高截止频率：：FT =9.0GHZ典型。 |
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