2SC4784 YA 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
8V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
20mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
10Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Features ?Silicon NPN epitaxial planar type ?High gain bandwidth product fT = 10 GHz Typ. ?High gain, low noise figure PG = 15.0 dB Typ, NF = 1.2 dB Typ at f = 900 MHz Application ?VHF / UHF wide band amplifier |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅外延平面型 ?高增益带宽乘积fT=10 GHz的典型。 ?高增益，低噪声系数，PG=15.0 dB（典型值），NF= 1.2 dB（典型值）在f=900兆赫 应用 ?VHF / UHF宽频带放大器 |
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