2SC4738F-GR LG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~700 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Features ?TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) ?Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ?High Voltage: VCEO = 50 V ?High Current: IC = 150 mA (max) ?High hFE: hFE = 120 ~ 700 ?Excellent hFE Linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) ?Complementary to 2SA1832F ?Small package |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT程序） ?音频通用放大器应用 ?高电压：VCEO= 50 V ?高电流：IC=150 mA（最大） ?高HFE：HFE=120?700 ?优秀的HFE线性：HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）=0.95（典型值） ?互补2SA1832F ?小型封装 |
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