2SC4667-O CHO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Features ?TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) ?High transition frequency :ft=400MHz ?High speed switching Applications ?High saturation Voltage: VCEO(sat)= 0.3V (max) ?High speed switching time :tstg=15ns(Typ) |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT程序） ?高转换频率：FT =400MHz的高速开关应用 ?高饱和电压VCEO（星期六）=0.3V（最大值） ?高速开关时间：TSTG=为15ns（典型值） |
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