2SC4168-4 GT4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
700MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
80mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial planar Silicon transistor High speed switching applications Fast switching speed High gain-bandwidth product Low saturation voltage |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高速开关应用 开关速度快 高增益带宽积 低饱和电压 |
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