2SC4083 T106P IDP 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
11V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
3.2GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
56~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
High-Frequency Amplifier TransHigh-Frequency Amplifier Transistor High transition frequency (fT= 1.5GHz) Small rbbí?Cc and high gain Small NF |
| 描述与应用 |
高频放大器 晶体管 高转换频率（FT=1.5GHz） 高增益 小NF |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
