2SC2859-O WO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
35V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~140 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
250mV/0.25V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
NPN Silicon epitaxial Transistors Audio frequency low power amplifier applications Driver stage amplifier applications Switching applications Features Excellent hFE linearity Complementary to 2SA1182 |
| 描述与应用 |
NPN硅外延晶体管 音频频率低功耗放大器应用 驱动级放大器的应用 开关应用 特点 优秀HFE线性 互补型2SA1182 |
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