2SB1721(O)-Z-E1 B1721 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?60V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1000mV/-1V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon Power Transistors High speed switching Features DC current gain is high. There is a Z type as a surface-mount products. |
| 描述与应用 |
硅功率晶体管 高速开关 特点 直流电流增益高。 有一个Z型作为表面贴装产品。 |
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