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2SB1661S
 型号:  2SB1661S
 标记/丝印/代码/打字:  B1661
 厂家:   HITACHI
 封装:   TO-252/DPAK
 批号:  05+
 库存数量:  3000
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB1661S B1661 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -300V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?300V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?150mA/-0.15A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 11MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50~200
管压降VCE(sat) Collector-Emitter SaturationVoltage -1000mV/-1V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 10W
Description & Applications Silicon PNP Triple Diffused Low Frequency Amplifier Features High voltage .
描述与应用 三重扩散PNP硅晶体管 特点 高电压。
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