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2SB1412TLQ
 型号：  2SB1412TLQ
 标记/丝印/代码/打字：  B1412
 厂家：  ROHM
 封装：  TO-252/DPAK/SC-63/CPT3
 批号：  05NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB1412TLQ B1412 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 120MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~270
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -1000mV/-1V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor Low frequency transistor Features 1) Low VCE(sat) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2118.
描述与应用 PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（SAT） 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SD2118。
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