2SB1302T BJT 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
320MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor High current switching applicatons Applications DC-DC converters ,motor drivers ,relay drivers,lamp drivers Features 1) Low collector-to-emitter saturation voltage 2)Large current capacity 3) Fast switching speed 4) Very small size package |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 高电流开关applicatons， 应用 DC-DC转换器，电机驱动器，继电器驱动器，灯驱动器 特点 1）低集电极 - 发射极饱和电压 2）大电流容量 3）快速开关速度 4）非常小尺寸封装 |
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