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2SB1261-Z-E1
 型号:  2SB1261-Z-E1
 标记/丝印/代码/打字:  B1261
 厂家:  NEC
 封装:  TO-252/DPAK
 批号:  05+
 库存数量:  7300
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB1261-Z-E1 B1261 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?60V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -3A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 50MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~400
管压降VCE(sat) Collector-Emitter SaturationVoltage -300mV/-0.3V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 2W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor High hFE Low VCE
描述与应用 PNP硅外延平面晶体管 高HFE 低VCE
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