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2SB1189-R
 型号：  2SB1189-R
 标记/丝印/代码/打字：  BDR
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-89/SC-62/MPT
 批号：  05+1r04nopb
 库存数量：  6000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
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2SB1189-R BDR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -80V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?80V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -700mA/-0.7A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~390
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -400mV/-0.4V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1) High breakdown voltage 2) Complements the 2SD1767
描述与应用 PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1）高的击穿电压 2）补充2SD1767
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