2SB1176(U)-0 B1176 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-130V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
30MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90~260 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor For low-voltage switching Complementary to 2SD1746 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) High-speed switching I type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of small electronic equipment. |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 对于低电压开关 互补2SD1746 特点 低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） 高速开关 I型包可以直接焊接在印刷电路板等小型电子设备的散热片。 |
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