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2SA812H
 型号：  2SA812H
 标记/丝印/代码/打字：  M6
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  02+
 库存数量：  1700
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SA812H M6 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 180MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -300mV/-0.3V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar type Features Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain High Voltage
描述与应用 PNP硅外延平面型 特点 互补型2SC1623 高DC电流增益 高电压
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