2SA1759-P AHP 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-400V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-400V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
12MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
High-voltage Switching Transistor Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = ?400V) 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat)= ?0.2V at IC / IB = ?20mA / ?2mA. 3) High switching speed, typically tf = 1μs at Ic =100mA. 4) Wide SOA (safe operating area). 5) Complements the 2SA4505. |
| 描述与应用 |
高压开关晶体管 特点 1）高的击穿电压。 （BVCEO=-400V） 2）低饱和电压，通常VCE（sat）=-0.2V IC/ IB=-20mA的/-2MA。 3）高开关速度，通常TF =1μs在IC=100MA。 4）宽安全工作区（SOA）。 5）补充2SA4505 |
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