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2SA1700E
 型号：  2SA1700E
 标记/丝印/代码/打字：  A1700
 厂家：   SANYO
 封装：   TO-252/DPAK/TP-FA
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SA1700E A1700 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -400V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -400V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?200mA/-0.2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 70MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~200
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?800mV/-0.8V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 1W
Description & Applications PNP epitaxial planat silicon transistor High-voltage driver applications high breakdown voltage； adoption of MBIT process； excellent hFE linearity
描述与应用 PNP的外延planat硅晶体管高电压驱动器应用程序 击穿电压高; 通过MBIT过程的; 出色的放大线性度
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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