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2SA1615-Z-E2
 型号：  2SA1615-Z-E2
 标记/丝印/代码/打字：  A1615
 厂家：  NEC
 封装：  TO-252/DPAK
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SA1615-Z-E2 A1615 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?10A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 180MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~600
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?200mV/-0.2V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 1W
Description & Applications PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING FEATURES ? Large current capacity: IC(DC): ?10 A, IC(pulse): ?15 A ? High hFE and low collector saturation voltage: hFE = 200 MIN. (@VCE = ?2.0 V, IC = ?0.5 A) VCE(sat) ≤ ?0.25 V (@IC = ?4.0 A, IB = ?0.05 A)
描述与应用 PNP硅外延晶体管高速开关 特点 ?大电流容量： IC（DC）：-10，IC（脉冲）：-15? ?高HFE和低集电极饱和电压： HFE= 200分钟。 （@ VCE= -2.0 V，IC=-0.5 A） VCE（sat）≤-0.25 V（@ IC= -4.0 A，IB=-0.05?）
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