2SA1314 TB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
140MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Transistor silicon PNP epitaxial type audio power applications； strobe flash applications； high DC current gain and excellent linearity； low saturation voltage； |
| 描述与应用 |
晶体硅外延型PNP 音频功率应用; 闪光灯的应用; 高直流增益，出色的线性度; 低饱和电压 |
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