2SA1235 MG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?200mA/-0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
400~800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type) FEATURE ●Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.3V max（@Ic=-100mA,IB=-10mA） ●Excellent linearity of DC forward gain. ●Super mini package for easy mounting APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application |
| 描述与应用 |
对于低频放大应用 硅PNP外延型（迷你型） 特点 ●小集电极到发射极饱和电压。 ????????????????????VCE（sat）=-0.3V最大（@ IC =100mA时IB=-10mA的） ●直流前锋出色的线性度获得。 ●超小型封装，便于安装 应用 对于混合集成电路，小型机低频电压 放大应用 |
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