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2SA1204-Y
 型号：  2SA1204-Y
 标记/丝印/代码/打字：  RY
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  07+
 库存数量：  5694
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SA1204-Y RY 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?35V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?35V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?800mA/-0.8A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 120MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160~320
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?700mV/-0.7V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) ? High DC current gain: hFE = 100 to 320 ? Suitable for output stage of 1 watts amplifier ? Small flat package ? PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) ? Complementary to 2SC2884
描述与应用 硅PNP外延式（PCT的进程） ?高直流电流增益：HFE= 100到320 ?适用于1瓦的放大器输出级 ?小型扁平封装 ?PC=1.0?2.0 W（安装在陶瓷基板上） ?互补2SC2884
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