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2N7002W-7-F
 型号:  2N7002W-7-F
 标记/丝印/代码/打字:  
 厂家:  DIODES
 封装:  SOT-323/SC-70
 批号:  08NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2N7002W-7-F  的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.8Ω/Ohm @50mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Feature N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free/RoHS Compliant "Green" Device
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应 晶体管 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏 超小型表面贴装封装 无铅/ RoHS标准 “绿色”设备
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