2N3906S ZA 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?200mA/-0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 @ -1V,-0.01A |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-400mV/-0.4V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
? switching application ? Low leakage current: ICEX=-50nA(max)，IBL=-50nA(max)@VCE=-30V，VEB=-3V。 ? Excellent DC current Gain Linearity ? Low saturation Voltage:VCE(sat)=-04V(max)@IC=-50mA，IB=-5mA ? Low collector output capacitance:COB=4.5pF(max)@VCB=-5V. |
| 描述与应用 |
?开关应用 ?低漏电流：ICEX=50nA的（最大），IBL=50nA的（最大）@ VCE=-30V，VEB =-3V。 ?优秀DC电流增益线性 ?低饱和电压VCE（饱和）=-04V（最大值）@ IC=-50mA的，IB=-5mA ?低集电极输出电容：COB=4.5pF（最大值）@ VCB=-5V。 |
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