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UN5210-R
 型号：  UN5210-R
 标记/丝印/代码/打字：  8LR
 厂家：  Panasonic
 封装：  sot-323
 批号：  05+
 库存数量：  2500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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UN5210-R 8LR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.1W/100mW
Description & Applications Silicon NPN epitaxial planar transistr For digital circuits Features ? Optimum for downsizing of the equipment and high-density mounting ?Contribute for low power consumption
描述与应用 NPN硅外延平面晶体管 用于数字电路 特性 ?最佳裁员的设备和高密度安装 ?低功耗贡献
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