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RN1901
 型号：  RN1901
 标记/丝印/代码/打字：  XA
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/US6/SC70-6
 批号：  11+rohs
 库存数量：  15000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+NPN
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RN1901 XA 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 4.7KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 4.7KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 30
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) ? Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) ? With built-in bias resistors ? Simplify circuit design ? Reduce a quantity of parts and manufacturing process ? Complementary to RN2901 to RN2906 APPLICATIONS ? Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程）（偏置电阻内置晶体管） ?包括两个设备US6（超超级迷你型6引线） ?借助内置的偏置电阻 ?简化电路设计 ?减少了部件数量和制造工艺 ?互补RN2901 RN2906 应用 ?开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用
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RN1901 XA TOSHIBA 11+NOPB SOT-363/US6/SC70-6 188900 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor-NPN+NPN 查看
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RN1902 XB TOSHIBA 12+ROHS SOT-363/US6/SC70-6 264000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor-NPN+NPN 查看
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