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DTDG23YP
 型号：  DTDG23YP
 标记/丝印/代码/打字：  EO
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-89/MPT3
 批号：  04NOPB
 库存数量：  740
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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DTDG23YP EO 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 60V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 22KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 300
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 1.5W
Description & Applications Features 1) High DC current gain. (Min. 300 at Vo/ Io=2V / 0.5A) 2) Low Vo(on). (Typ. 0.4V at Io / Ii=500mA / 5mA) 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load).
描述与应用 特性 1）高DC电流增益。 （Vo/ Io=2V/0.5A最小300） 2）低Vo（on）。 （典型0.4V@IO / II =500mA/5mA） 3）内置齐纳二极管提供了有力的保护，防止反向浪涌L-负载（感性负载）。
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