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UN5116
 型号：  UN5116
 标记/丝印/代码/打字：  6F
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  07NOPB9K
 库存数量：  15500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼PNPPNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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UN5116 6F 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160~460
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW
Description & Applications Features ?Silicon PNP epitaxial planer transistor ?Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. ?S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through tape packing and magazine packing
描述与应用 特点 ?硅PNP外延刨刀晶体管的 ?成本可降低通过减员设备和减少部件的数量。 ?S-迷你型包装，使瘦身的设备和通过自动插入磁带包装盒包装
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