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SUY50N03-07AP-T4
 型号:  SUY50N03-07AP-T4
 标记/丝印/代码/打字:  50N0307
 厂家:  VISHAY
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  02+
 库存数量:  1450
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SUY50N03-07AP-T4 50N0307 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.007Ω/Ohm @20A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.2-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 88W
Description & Applications Silicon Gate for Fast Switching Speeds ? Low Drive Requirement to Interface Power Loads to Logic Level ICs, VGS(th) = 2 Volts Max ? Low RDS(on) 0.18 ? max ? The SOT–223 Package can be Soldered Using Wave or Reflow. The Formed Leads Absorb Thermal Stress During Soldering, Eliminating the Possibility of Damage to the Die ? Available in 12 mm Tape and Reel Use MMFT3055ELT1 to order the 7 inch/1000 unit reel. Use MMFT3055ELT3 to order the 13 inch/4000 unit reel.
描述与应用 硅栅快速开关速度 ?低驱动要求接口电源负载到逻辑 级集成电路,VGS(TH)= 2伏特最大 ?低的RDS(on) - 0.18Ω最大 ?SOT-223包装可以使用波或回流焊接。所形成的线索在焊接热应力吸收,消除损害的可能性模具 ?可在12毫米编带和轴 使用MMFT3055ELT1到责令7 inch/1000的单位卷轴。 使用MMFT3055ELT3责令13 inch/4000的单位卷轴
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