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NTZS3151PT1G
 型号：  NTZS3151PT1G
 标记/丝印/代码/打字：  TX
 厂家：  ON
 封装：  SOT-563
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NTZS3151PT1G TX 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -860mA/-0.86A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 240m?@ VGS = -1.8V, ID = -0.2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45~1V
耗散功率Pd Power Dissipation 170mW/0.17W
Description & Applications Small Signal MOSFET Features ? Low RDS(on) Improving System Efficiency ? Low Threshold Voltage ? Small Footprint 1.6 x 1.6 mm ? These are Pb?Free Devices Applications ? Load/Power Switches ? Battery Management ? Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc.
描述与应用 小信号MOSFET 特点 ?低的RDS（on） 提高系统效率 ?低阈值电压 ?小尺寸1.6×1.6毫米 ?这些都是无铅设备 应用 ?负载/功率开关 ?电池管理 手机，数码相机，掌上电脑，传呼机等。
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