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MSG330C4Q1TD
 型号：  MSG330C4Q1TD
 标记/丝印/代码/打字：  4Y
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-523/SC-75
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  8500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
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MSG330C4Q1TD 4Y 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 9V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 6V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 16GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~220
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications SiGe HBT type for low noise RF amplifier compaible between high breakdown voltage and high cutoff frequency low-noisy,high-gain amplification suitable for high-density mounting downsizing of the equipment for ultraminiature package 0.8mm*1.2mm
描述与应用 SiGe HBT的类型 低噪声射频放大器 compaible高击穿电压和高截止频率之间 低噪声，高增益放大 适用于高密度安装缩减了设备的超小型封装0.8MM*1.2毫米
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